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G08N02L

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G08N02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ? Power switch ? DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

N-Channel Trench MOSFET

Description The G08N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ? Power switch ? DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

N-Channel Power MOSFET

文件：2.42366 Mbytes Page：5 Pages

JIANGSU

長(zhǎng)電科技

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 8A)

文件：42.08 Kbytes Page：4 Pages

HSMC

華昕

更新時(shí)間：2025-9-2 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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