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G080P06T

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新時(shí)間：2025-9-5 20:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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全新原裝正品 數(shù)量多可訂貨 一級(jí)代理優(yōu)勢(shì)
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一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
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7300
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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65200
FERRAZ/羅蘭熔斷器
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保

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