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HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE ? 4V DRIVE ? VDSS ............................................................... –60V ? rDS (ON) (MAX) ................................................ 97m? ? ID .................................................................... –20A ? Integrated Fast Recovery Diod

Mitsubishi

三菱電機

Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE ? 4V DRIVE ? VDSS ............................................................... –60V ? rDS (ON) (MAX) ................................................ 97m? ? ID .................................................................... –20A ? Integrated Fast Recovery Diod

POWEREX

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features ? Drive voltage : 4 V ? VDSS : – 60 V ? rDS(ON) (max) : 97 m? ? ID : – 20 A ? Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns ? Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞薩

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.64233 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

更新時間：2025-9-2 23:01:01
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瑞薩/三菱
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