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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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東海半導(dǎo)體

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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東海半導(dǎo)體

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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東海半導(dǎo)體

更新時間：2025-9-19 12:19:01
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