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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
FGPF50N30TTU

300V, 50A PDP IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features ? High current capability ? Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGPF50N30TTU

封裝/外殼：TO-220-3 整包 包裝：管件 描述：IGBT 300V 46.8W TO220F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

300V, 50A PDP IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features ? High current capability ? Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

N-Channel Power MOSFET

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NELLSEMI

尼爾半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：253.23 Kbytes Page：4 Pages

DACO

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：380.61 Kbytes Page：2 Pages

ISC

無錫固電

FGPF50N30TTU產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    FGPF50N30TTU

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 300V 50A PDP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-8-13 16:15:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO220F
1709
FAIRCHILD
25+23+
TO220F
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
12388
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
Fairchild/ON
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TO220F
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
FAIRCHILD/仙童
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現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
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