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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 62A, 13.5m? Features ?rDS(ON)= 11.5m?(Typ.), VGS = 10V, ID= 62A ?Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ? Low Miller Charge ?Low QRRBody Diode ? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) ? Qualified to AEC Q101 Applications ? Mot

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

無錫固電

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：281.4 Kbytes Page：11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

更新時間：2025-8-14 23:01:01
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