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FDI036N10A

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID = 214A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.6mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 214A, 3.6m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

更新時間：2025-8-28 18:48:00
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    2020-4-23

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