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FCP400N80Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

更新時間：2025-8-20 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
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TO-220
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢

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