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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
FB180

封裝/外殼：軸向 包裝：卷帶（TR） 描述：DIODE TVS 180VR 2200W FOLDBACK 電路保護(hù) TVS - 混合技術(shù)

ETC

知名廠家

Power MOSFET

Description Fifth Generation, high current density HEXFETS are paralled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low ON resistance and cost effectiveness. The isolated SOT-227 package is preferred for all commercial - industrial appli

IRF

Power MOSFET, 180 A

FEATURES ? Fully isolated package ? Easy to use and parallel ? Very low on-resistance ? Dynamic dV/dt rating ? Fully avalanche rated ? Simple drive requirements ? Low drain to case capacitance ? Low internal inductance ? UL pending ? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC DESCRIPTION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Power MOSFET, 180 A

FEATURES ? Fully isolated package ? Easy to use and parallel ? Very low on-resistance ? Dynamic dV/dt rating ? Fully avalanche rated ? Simple drive requirements ? Low drain to case capacitance ? Low internal inductance ? UL pending ? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC DESCRIPTION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Power MOSFET

Infineon

英飛凌

Power MOSFET, 180 A

文件：189.66 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Power MOSFET, 180 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

POWER INDUCTOR

●FEATURE 1. Excellent solder heat resistance(add “C” is for high current type) 2. Low voltage drops and small variations inductance ●APPLICATION 1. DC power supply circuits 2. Power line choke coils…etc

AITSEMI

創(chuàng)瑞科技

WIRE WOUND SMD INDUCTOR

●FEATURE 1. Low core loss for high frequency power application 2. Large terminal surface ●APPLICATION 1. Portable communication equipment, notebook computer

AITSEMI

創(chuàng)瑞科技

1.3 Watts Axial Leaded Zener Diodes

VOLTAGE RANGE: 2.4 - 200V POWER: 1.3Wa t t s Features ● Complete Voltage Range 2.4 to 200 Volts ● High peak reverse power dissipation ● High reliability ● Low leakage current

SUNMATE

森美特

SHIELDED SMT POWER INDUCTORS

● FEATURE Various high power inductor are Superior to be high saturation for surface mounting ● APPLICATIONS 2 DC/DC converter power supply, Telecommunication equipment

PRODUCTWELL

THREADED INSERT, THRU, REGULAR HEAD STYLE

文件：20.42 Kbytes Page：1 Pages

WITTEN

FB180產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    FB180

  • 功能描述

    DIODE TVS 180VR 2200W FOLDBACK

  • RoHS

    否

  • 類別

    過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管

  • 系列

    Foldbak

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝

    2,000

  • 系列

    TransZorb® 電壓 -

  • 反向隔離（標(biāo)準(zhǔn)值）

    8V 電壓 -

  • 擊穿

    8.89V

  • 功率（瓦特）

    500W

  • 電極標(biāo)記

    單向

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    DO-204AC，DO-15，軸向

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝

    DO-204AC（DO-15）

  • 包裝

    帶盒（TB）

更新時(shí)間：2025-9-12 20:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR(國(guó)際整流器)
24+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
IR
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
ir
24+
500000
行業(yè)低價(jià),代理渠道
IR
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
CHINAXYJ
23+
4516
9868
專做原裝正品,假一罰百!
IR
2024+
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70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
Marki
24+
過(guò)濾器
6000
“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)軍工、宇航級(jí)IC原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
Ir
25+
SOP
3200
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
IR
22+
SOT227
8000
原裝正品支持實(shí)單
原廠
2023+
模塊
600
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨

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    2024-3-13

  • FAN9611MX 原裝正品 假一罰十

    原裝現(xiàn)貨 決無(wú)虛假 假一罰百

    2021-12-5

  • FBMB27B512G1KLBAEJ4-25AF

    FBMB27B512G1KLBAEJ4-25AF

    2020-4-27

  • FAR-D5PF-881M50-M3E9

    FAR-D5PF-881M50-M3E9

    2019-10-16

  • FB260N

    FB260N，全新原裝當(dāng)天發(fā)貨或門(mén)市自取0755-82732291.

    2019-8-25

  • FAN8434-3攝像機(jī)在1個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    特點(diǎn) 絞盤(pán)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器塊 •3相，3個(gè)霍爾傳感器的線性直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)。 •內(nèi)置在FG放大器。 •正向和反向旋轉(zhuǎn)的功能。 •內(nèi)置限幅。 電動(dòng)滾筒驅(qū)動(dòng)器塊 •3相軟換向無(wú)傳感器的驅(qū)動(dòng)器的方法。 •內(nèi)置在FG放大器。 •內(nèi)置在PG放大器。 加載電機(jī)驅(qū)動(dòng)器塊 •單相H -橋驅(qū)動(dòng)方式。 •4模式選擇功能（正向，反向，制動(dòng)，待機(jī)）

    2012-12-5

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