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ET110N10-Z

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COPAL

尼得科

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 17mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

無錫固電

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半導(dǎo)體

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

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IXYS

艾賽斯

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

艾賽斯

更新時間：2025-9-11 23:01:00
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NA/
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