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DMN5L06DWK-7價(jià)格

參考價(jià)格:¥0.4550

型號(hào):DMN5L06DWK-7 品牌:Diodes 備注:這里有DMN5L06DWK-7多少錢,2025年最近7天走勢,今日出價(jià),今日競價(jià),DMN5L06DWK-7批發(fā)/采購報(bào)價(jià),DMN5L06DWK-7行情走勢銷售排行榜,DMN5L06DWK-7報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ? Dual N-Channel MOSFET ? Low On-Resistance (1.0V Max) ? Very Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Ultra-Small Surface Mount Package ? ESD Protected up to 2kV ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1

DIODES

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:373.61 Kbytes Page:4 Pages

DIODES

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:530.21 Kbytes Page:6 Pages

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美臺(tái)半導(dǎo)體

DMN5L06DWK-7產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    DMN5L06DWK-7

  • 功能描述

    MOSFET Dual N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間:2025-8-14 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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