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型號 功能描述 生產廠家&企業(yè) LOGO 操作
CY7C1314KV18-250BZCT

封裝/外殼：165-LBGA 包裝：卷帶（TR） 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu

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CY7C1314KV18-250BZCT產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    CY7C1314KV18-250BZCT

  • 功能描述

    靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB 1ms 560mA

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量

    16 Mbit

  • 組織

    1 M x 16

  • 訪問時間

    55 ns

  • 電源電壓-最大

    3.6 V

  • 電源電壓-最小

    2.2 V

  • 最大工作電流

    22 uA

  • 最大工作溫度

    + 85 C

  • 最小工作溫度

    - 40 C

  • 安裝風格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    TSOP-48

  • 封裝

    Tray

更新時間：2025-8-13 14:23:00
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