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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
CY7C1143KV18-400BZC

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

文件：619.84 Kbytes Page：29 Pages

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1143KV18-400BZC

封裝/外殼：165-LBGA 包裝：卷帶（TR） 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

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CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1143KV18-400BZC產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    CY7C1143KV18-400BZC

  • 功能描述

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB(1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量

    16 Mbit

  • 組織

    1 M x 16

  • 訪問時(shí)間

    55 ns

  • 電源電壓-最大

    3.6 V

  • 電源電壓-最小

    2.2 V

  • 最大工作電流

    22 uA

  • 最大工作溫度

    + 85 C

  • 最小工作溫度

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    TSOP-48

  • 封裝

    Tray

更新時(shí)間：2025-8-16 12:40:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CYPRESS
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