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| 型號 | 功能描述 | 生產廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Automotive Grade Capacitors 文件：1.15799 Mbytes Page：36 Pages | TDK TDK株式會社 |   |
更新時間：2025-8-30 23:01:01
| IC供應商 | 芯片型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK |
24+ |
1210 |
1000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
|||
TDK(東電化) |
24+ |
1210(3225 公制) |
32333 |
TDK原廠直供,全系列可訂貨。美金交易,大陸交貨。 |
|||
TDK |
2025+ |
SMD |
16854648 |
代理銷售TDK原裝現(xiàn)貨 |
|||
TDK |
17+ |
SMD |
100000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
TDK/東電化 |
24+ |
NA |
130436 |
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家 |
|||
TDK |
24+ |
SMD |
220000 |
||||
TDK |
2019+ |
SMD |
120000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
|||
TDK/東電化 |
24+ |
SMD |
66558 |
原裝現(xiàn)貨,樣品可售 |
|||
TDK |
23+ |
EIA 1210 |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
|||
TDK |
23+ |
[EIA 1210] |
7000 |
CGA6P3X7R1E685KT芯片相關品牌
CGA6P3X7R1E685KT規(guī)格書下載地址
CGA6P3X7R1E685KT參數(shù)引腳圖相關
- d402
- d325
- d2007
- d2004
- d2002
- d126
- d1004
- d1002
- c波段
- cw7805
- cs5532
- cs1
- cpld
- cp10
- connector
- cob
- cmos傳感器
- cmos
- cm2006
- cicret
- CGL2K
- CGL1.5K
- CGH-5
- CGH-3
- CGH-2
- CGH-1
- CGH_17
- CGDT76
- CGD944C
- CGD942C
- CGD923
- CGD914
- CGD888C
- CGD3.5K
- CGD2.5K
- CGD1042
- CGD1.5K
- CGB241
- CGB240B
- CGB240
- CGA6P3X7R1H475M250AB
- CGA6P3X7R1H475M250A
- CGA6P3X7R1H475KT0Y9N
- CGA6P3X7R1H475KT0Y0N
- CGA6P3X7R1H475KT
- CGA6P3X7R1H475K250AD
- CGA6P3X7R1H475K250AB
- CGA6P3X7R1H475K250A
- CGA6P3X7R1H475K
- CGA6P3X7R1H335MT
- CGA6P3X7R1H335M250AB
- CGA6P3X7R1H335KT0Y0N
- CGA6P3X7R1H335KT
- CGA6P3X7R1H335K250AB
- CGA6P3X7R1H335K
- CGA6P3X7R1H106MT
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- CGA6P3X7R1E226MT000N
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- CGA6P3X7R1E226M250AB
- CGA6P3X7R1E226KT
- CGA6P3X7R1C226KT000S
- CGA6P3X7R1C226K
- CGA6P3X7R1C156MT0Y0N
- CGA6P3X7R1C156MT
- CGA6P3X7R1C156M250AB
- CGA6P3X7R1C156M
- CGA6P3NP02E473JT0Y0N
- CGA6P3NP02E473JT
- CGA6P3NP02E473J250AA
- CGA6P3C0G2E473JT0Y0N
- CGA6P3C0G2E473JT
- CGA6P3C0G2E473J250AA
- CGA6P2X8R1E335MT
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- CG6470
CGA6P3X7R1E685KT數(shù)據表相關新聞
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化鎵基于碳化硅）射頻功率晶體管，專為 700 MHz 到 960 MHz 頻段的高效射頻和微波功率放大器設計。
CGH09120F/P 品牌 鎂可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E?
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多層陶瓷電容器，具有高電容密度、高電壓容限、高溫穩(wěn)定性、低ESR和低ESL等特點。它適用于各種電路和應用，包括緊湊型電路設計、高電壓應用、高溫環(huán)境下的應用和高頻應用等。同時，它還具有高可靠性和長壽命，能夠穩(wěn)定工作并滿足各種工業(yè)標
2023-6-21CGH40006P
射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光華微科技有限公司 18138231376
聯(lián)系人：劉冬英 電話：0755-83203002 手機：18138231376、18806643356 QQ號：1546282226、微信號：18138231376 公司名稱：深圳市光華微科技有限公司 公司地址：深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈1棟712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光華微科技有限公司0755-83203002
聯(lián)系人：劉冬英 電話：0755-83203002 手機：18138231376、18806643356 QQ號：1546282226、微信號：18138231376 公司名稱：深圳市光華微科技有限公司 公司地址：深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈1棟712室
2019-7-6
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