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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

? Half-bridge ? Including fast free-wheeling diodes ? Package with insulated metal base plate ? RG on,min = 22 Ohm

eupec

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT Power Module Preliminary data ? Half-bridge ? Including fast free-wheeling diodes ? Package with insulated metal base plate ? RG on,min = 22 Ohm

SIEMENS

西門(mén)子

BSM75GB170DN2

英飛凌IGBT模塊 BSM75GB170DN2

文件：263.797 Kbytes Page：10 Pages

Infineon

英飛凌

PDF上傳者：蘇州銀邦電子科技有限公司

BSM75GB170DN2

IGBT Power Module

Infineon

英飛凌

封裝/外殼：模塊 包裝：托盤(pán)托盤(pán) 描述：IGBT MOD 1700V 110A 625W 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊

Infineon

英飛凌

BSM75GB170DN2產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    BSM75GB170DN2

  • 功能描述

    IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 110A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作溫度

    + 125 C

  • 封裝/箱體

    34MM

更新時(shí)間：2025-9-14 14:30:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INF
24+
12
EUPEC
專(zhuān)業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
Infineon(英飛凌)
23+
10000
只做全新原裝,實(shí)單來(lái)
INFINEON
20+
原裝模塊
368
樣品可出,原裝現(xiàn)貨
EUPEC
22+
模塊
8000
原裝正品支持實(shí)單
INFINEON
14
62MM
1000
自己庫(kù)存,原裝正品假一賠百0755-27210160田生
EUPEC
24+
75A/1700V/IG
13523
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
INFINEON
23+
IGBT模塊
1000
IGBT模塊強(qiáng)勢(shì)出貨
INFINEON/英飛凌
22+
MODULE
6000
十年配單,只做原裝
INFINEON/英飛凌
18+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126

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    2019-10-18

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