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BF998價格

參考價格：￥0.2300

型號：BF998 品牌：SIEMENS 備注：這里有BF998多少錢，2025年最近7天走勢，今日出價，今日競價，BF998批發(fā)/采購報價，BF998行情走勢銷售排行榜，BF998報價。

型號	功能描述	生產(chǎn)廠家&企業(yè)	LOGO
BF998	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司
BF998	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998	RFManual16thedition	ETC 知名廠家	ETC
BF998	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs 文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF998A	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998B	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998R	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998R	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998R	RFManual16thedition	ETC 知名廠家	ETC
BF998RA	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RAW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RB	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RBW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998W	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998W	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor) ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlownoise,gain-controlledinputstagesupto1GHzReversepinoutversionofBF998	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司
BF998WR	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackagewithsourceandsubstrateinterconnected.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES ?Highforward	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF998WR	RFManual16thedition	ETC 知名廠家	ETC
BF998,235	封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA 包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻	ETC 知名廠家	ETC
BF998_07	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998_08	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998_15	SiliconN-channeldual-gate 文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司
BF998_2015	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs 文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司
BF998A	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998A-GS08	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998E6327HTSA1	封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA 包裝：托盤描述：MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998R	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998R	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
BF998R	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs 文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF998R	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor) 文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司
BF998RA	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RA-GS08	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RAW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RAW-GS08	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RBW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RBW-GS08	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998RW	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
BF998WR	N-channeldual-gateMOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司
BF998WR_15	N-channeldual-gateMOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司
BF998WR_2015	N-channeldual-gateMOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司
AS998	ICintendedforuseasaPWMcontroller 文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商

BF998產(chǎn)品屬性

類型
描述
型號
BF998
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N, RF, DUAL-GATE, SOT-143
制造商
VISHAY SEMICONDUCTOR
功能描述
Trans MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
RF MOSFET N-Channel 12V 0.03A SOT143
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
RF MOSFET N-Ch 12V 30mA Dual Gate SOT143

BF998供應(yīng)商更多...

更新時間：2025-7-22 23:00:00

IC供應(yīng)商	芯片型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BF998R	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	9048	全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	BF998	INFINEON	2016+	SOT143	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BF998RE6327	INFINEON/英飛凌	25+	SOT143	32000	INFINEON/英飛凌全新特價BF998RE6327即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	BF998	INFINEON/英飛凌	23+	SOT143	100586	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	BF998E6327	INFINEON/英飛凌	24+	SOT143	159826	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市華睿芯科技有限公司	BF998	infineon	24+	SOT143	20000	全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BF998RE6327	INFINEO	21+	VQFN	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	BF998	PHI	23+	NA	6858	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	BF998R		23+	SOT-143	36000		詢價
深圳兆威電子有限公司	BF998	infineon	23+	SOT143	999999	原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨	詢價

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BF908WR,115
BF908R,215

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BFG235
進(jìn)口代理
2022-11-12
BFC233920474
BFC233920474
2022-10-13
BF7612CM28，40k現(xiàn)貨，批次21+
BF7612CM28，40k現(xiàn)貨，批次21+
2021-11-18
BF7612CM28，BYD，40K，21+
BF7612CM28，BYD，40K，21+
2021-11-10
BF862215
JFET-25V射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管,SMD/SMT射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管,JFET射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管,GaNSiCSMD/SMT射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管,JFETN-Channel射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管,MESFET射
2020-8-5
BF998，現(xiàn)貨銷售，只售原裝，興中揚電子
BF998，現(xiàn)貨銷售，只售原裝，興中揚電子
2019-11-30

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