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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊歐

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

Fast Switching

文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages

ISC

無錫固電

20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages

CHONGQING

重慶平偉實業(yè)

更新時間：2025-9-3 13:44:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VB
2024
TO-252251
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-252
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO252
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電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
NK/南科功率
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TO252
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國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量

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