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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
AS29LV160

3W 2M x 8 / 1M x 16 - CMOS Flash EEPROM

Features ? Organization: 2M×8 / 1M×16 ? Sector architecture - One 16K; two 8K; one 32K; and thirty-one 64K byte sectors - One 8K; two 4K; one 16K; and thirty-one 32K word sectors - Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom) - Erase any combination of sectors or full chip

ALSC

AS29LV160

3W 2M x 8 / 1M x 16 - CMOS Flash EEPROM

ETC

知名廠家

3W 2M x 8 / 1M x 16 - CMOS Flash EEPROM

Features ? Organization: 2M×8 / 1M×16 ? Sector architecture - One 16K; two 8K; one 32K; and thirty-one 64K byte sectors - One 8K; two 4K; one 16K; and thirty-one 32K word sectors - Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom) - Erase any combination of sectors or full chip

ALSC

3W 2M x 8 / 1M x 16 - CMOS Flash EEPROM

Features ? Organization: 2M×8 / 1M×16 ? Sector architecture - One 16K; two 8K; one 32K; and thirty-one 64K byte sectors - One 8K; two 4K; one 16K; and thirty-one 32K word sectors - Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom) - Erase any combination of sectors or full chip

ALSC

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

GENERAL DESCRIPTION The Am29LV160B is a 16 Mbit, 3.0 Volt-only Flash memory organized as 2,097,152 bytes or 1,048,576 words. The device is offered in 48-ball FBGA, 44-pin SO, and 48-pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0. This d

AMD

超威半導(dǎo)體

16M (2M X 8/1M X 16) BIT

■ GENERAL DESCRIPTION The MBM29LV160TE/BE is a 16M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 2M bytes of 8 bits each or 1M words of 16 bits each. The MBM29LV160TE/BE is offered in a 48-pin TSOP (I), 48-pin CSOP and 48-ball FBGA packages. The device is designed to be programmed in-system with th

Fujitsu

富士通

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

General Description The Am29LV160M is a 16 Mbit, 3.0 Volt-only Flash memory organized as 2,097,152 bytes or 1,048,576 words. The device is offered in a 48-ball Fine-pitch BGA, 64-ball Fortified BGA, and 48-pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data

AMD

超威半導(dǎo)體

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

GENERAL DESCRIPTION The Am29LV160B is a 16 Mbit, 3.0 Volt-only Flash memory organized as 2,097,152 bytes or 1,048,576 words. The device is offered in 48-ball FBGA, 44-pin SO, and 48-pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0. This d

AMD

超威半導(dǎo)體

16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

文件：762.21 Kbytes Page：63 Pages

MCNIX

????????????旺宏電子

AS29LV160產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    AS29LV160

  • 制造商

    ALSC

  • 制造商全稱

    Alliance Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    3W 2M x 8/1M x 16 - CMOS Flash EEPROM

更新時間：2025-9-17 13:54:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ALSC
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣
ALLIANCE-MEMORY
0108
FLASH-NOR/29LV800TOP/TSO
500
原裝香港現(xiàn)貨真實庫存。低價
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    2019-2-26

  • AS2830U-5.0-正固定電壓穩(wěn)壓器

    產(chǎn)品說明 本AS2830是一款低功耗3A條可調(diào)和固定電壓調(diào)節(jié)器，這是非常容易使用。它僅需要2到外部電阻設(shè)置可調(diào)版本的輸出電壓。本AS2830是專為低，提供了較低的電壓差的高壓應(yīng)用和更快的瞬態(tài)響應(yīng)。這個裝置是一個使用低電壓微處理器供電的理想選擇要求較低輟學(xué)，更快的瞬態(tài)響應(yīng)調(diào)節(jié)從3.8V的+2.5 V至用品和作為后穩(wěn)壓開關(guān)電源的應(yīng)用。本AS2830的最大特點1.2伏的低壓差。AS2830提供的過電流限制和禁止輸入極性相反的充分保護(hù)，扭轉(zhuǎn)載荷插入，陽性和負(fù)瞬態(tài)電壓。上微調(diào)芯片的參考電壓調(diào)整至1％。該設(shè)備的智商流入負(fù)載，提高了效率。本AS2830均采用3引腳TO- 220和TO -263及

    2013-2-1

  • AS2431LAM-正電壓可調(diào)穩(wěn)壓器

    產(chǎn)品說明 該AS2431L是一個三端可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器提供極低的工作電流為100μA具有高度的準(zhǔn)確的0.5％的帶隙參考。 AS2431L作為一個具有2.5V的溫度補償?shù)膮⒖奸_誤差放大器。該AS2431L熱穩(wěn)定性，廣闊的工作電流（100mA）和溫度范圍（105℃）使其為一個范圍廣泛的適合申請。 AS2431L0.5％的容差被證明是足以克服系統(tǒng)中的幾乎所有其他錯誤消除了在電力供應(yīng)需要修剪生產(chǎn)流水線，并有助于大幅節(jié)省成本。在標(biāo)準(zhǔn)的并聯(lián)配置，低溫度系數(shù)（TC）的，尖銳的開啟特性，低輸出組合阻抗和可編程輸出電壓，使這種精密引用一個優(yōu)秀的誤差放大器。

    2013-2-1

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