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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
AON7422E

30V N-Channel MOSFET

General Description The AON7422E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 40A

AOSMD

萬國半導體

MachFlex?, 21G C #16 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, TPE Jkt,1000V WTTC, 600V TC-ER

Product Description MachFlex? for High Flex, 2+1G Conductor 16AWG (26x30) Bare Copper, PVC-NYL Insulation, Overall Tinned Copper Braid(85%) Shield, TPE Inner Jacket, TPE Outer Jacket, 1000V WTTC, 600V TC-ER

BELDEN

百通

Strain Relief Mounting Hole Punches

文件：130.259 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

?？?/span>

?0.1?C Accuracy, 16-Bit, Digital I2C Temperature Sensor for VSM Applications

文件：419.26 Kbytes Page：23 Pages

AD

亞德諾

Dual-Channel, RF-Sampling AFE With 14-Bit, 9-GSPS DACs and 14-Bit, 3-GSPS ADCs

文件：78.97 Kbytes Page：4 Pages

TI1

德州儀器

AFE7422 Dual-channel, RF-sampling AFE with 14-bit, 9-GSPS DACs and 14-bit, 3-GSPS ADCs

文件：362.65 Kbytes Page：8 Pages

TI1

德州儀器

AON7422E產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    AON7422E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 20A DFN3X3

  • RoHS

    是

  • 類別

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列

    -

  • 標準包裝

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝

    TO-220FP

  • 包裝

    管件

更新時間：2025-8-22 16:21:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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