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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi

AOSMD

萬國半導(dǎo)體

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

萬國半導(dǎo)體

NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black

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SCHNEIDER

施耐德

MonolithicICs

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ROHM

羅姆

High- performance 5.1ch electronic volume

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ROHM

羅姆

更新時間：2025-8-20 23:01:01
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