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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507

WINGS

永盛電子

PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE

Planar Rtpe Silicon Transistor For AF POWER Amplifier Use

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 2SD313 is designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

UTC

友順

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

東電電子

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier

ISC

無錫固電

2SD313D產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    2SD313D

  • 制造商

    MOSPEC

  • 制造商全稱

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

更新時間：2025-8-14 11:58:02
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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