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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
2N6505T

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Silicon Controlled Rectifiers

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features ? Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS

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DIGITRON

Silicon Controlled Rectifiers

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KERSEMI

封裝/外殼：TO-220-3 包裝：管件 描述：SCR 100V 25A TO220AB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶閘管 - SCR

ETC

知名廠家

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

2N6505T產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    2N6505T

  • 功能描述

    SCR 100V 25A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO

    480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM

    600 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)

    RMS

  • 正向電壓下降

    1.6 V

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)

    1.3 V

  • 最大柵極峰值反向電壓

    5 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)

    35 mA 保持電流（Ih

  • 最大值）

    75 mA

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    TO-220

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-8-14 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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