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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
20N60B

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features ? International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD ? High current handling capability ? Latest generation HDMOSTM process ? MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾賽斯

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友順

Fast Switching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISC

無(wú)錫固電

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

HiPerFAST IGBT with Diode

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features ? International standard packages ? High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package ? High current handling capability ? HiPerFASTTM HDMOSTM process ? MOS Gate turn-on -drive simplicity Applications ? Unin

IXYS

艾賽斯

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODE

佑風(fēng)微電子

20N60B產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    20N60B

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全稱

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HiPerFAST IGBT

更新時(shí)間：2025-9-3 16:20:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFIENON
TO-247
3200
原裝長(zhǎng)期供貨!
INFINEON
2020+
TO220
5600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
INFINEON
23+
TO-220
18689
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
INFINEON
06+
SOT263
6000
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨
INF進(jìn)口原
17+
220-220F
6200
TO-220-3
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
INFINEON
18+
TO-3P
85600
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
TO220/
43
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
INFINEON英飛凌
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十

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