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VF20120C-E3SLASH4W中文資料

廠家型號

VF20120C-E3SLASH4W

文件大小

167.06Kbytes

頁面數(shù)量

5

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

簡稱

VISHAY威世科技

生產(chǎn)廠商

Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

LOGO

VF20120C-E3SLASH4W數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

?? For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

更新時間:2021-9-14 10:50:00
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  • VPC

Vishay Siliconix 威世科技半導(dǎo)體

中文資料: 356708條

Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一項革命性的技術(shù)。從那時起,我們將在幾十年內(nèi)不斷發(fā)展壯大,達(dá)到今天的地位:世界上最值得信賴的電子元件制造商之一。從分立式半導(dǎo)體到無源元件;從最小的二極管到最強(qiáng)大的電容器,Vishay我們稱之為技術(shù)的DNA。? 這種DNA不僅僅是當(dāng)今最重要的電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施,它還是實現(xiàn)增長的平臺。Vishay處于有利地位,可以推動可持續(xù)性、連通性和移動性等及時的宏觀經(jīng)濟(jì)增長動力。通過研發(fā)、制造、工程、質(zhì)量、銷售和市場營銷,我們產(chǎn)生了必要的組件,使發(fā)明者和創(chuàng)新者能夠創(chuàng)造新一代產(chǎn)品,這些產(chǎn)品跨越許多領(lǐng)域:汽車、工業(yè)、消費品、計算機(jī)、電信、軍事、航空航天和醫(yī)療