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N-CHANNEL600V-0.48ohm-13A-TO-247/ISOWATT218PowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

N-CHANNEL600V-0.48ohm-13A-TO-247/ISOWATT218PowerMESHMOSFET

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.54Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

N-CHANNEL600V-0.48ohm-13A-TO-247/ISOWATT218PowerMESHMOSFET

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET

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更新時間：2025-7-23 18:22:01
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    2012-11-24

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