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5KP7.5中文資料
5KP7.5數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
VOLTAGE - 5.0 TO 110 Volts 5000 Watt Peak Pulse Power
FEATURES
● Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
● Glass passivated junction
● 5000W Peak Pulse Power capability on
10/1000 S waveform
● Excellent clamping capability
● Repetition rate(Duty Cycle): 0.05
● Low incremental surge resistance
● Fast response time: typically less
than 1.0 ps from 0 volts to BV
● Typical ID less than 1 A above 10V
● High temperature soldering guaranteed:
300 /10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
length/5lbs., (2.3kg) tension
5KP7.5產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
5KP7.5
- 功能描述
TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 7.5Vso 5VAC 350A
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 極性
Bidirectional
- 擊穿電壓
58.9 V
- 鉗位電壓
77.4 V
- 峰值浪涌電流
38.8 A
- 封裝/箱體
DO-214AB
- 最小工作溫度
- 55 C
- 最大工作溫度
+ 150 C
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024 |
R-6 |
58209 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量 |
|||
BORN(伯恩半導(dǎo)體) |
24+ |
DIP |
50000 |
品牌代理,價格優(yōu)勢,技術(shù)支持!! |
|||
ON/DIODES/PANJIT |
24+ |
P-600 |
43000 |
||||
LITTLEFUSE |
24+ |
原廠原裝 |
3000 |
原裝正品 |
|||
FCI |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
24+ |
N/A |
78000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇 |
||||
JUXING(鉅興) |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
|||
UN SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
|||
JUXING(鉅興) |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
|||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
R-6 |
66688 |
森美特高品質(zhì)產(chǎn)品原裝正品免費(fèi)送樣 |
5KP7.5CA 價格
參考價格：￥8.2274
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5KP7.5 芯片相關(guān)型號
TRSYS相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Transys Electronics
中文資料: 2607條
Transys Electronics Ltd是一家私人所有的半導(dǎo)體制造商，位于英國伯明翰的工業(yè)中心地帶。 該公司成立于1992年，如今擁有并運(yùn)營一個5000平方英尺的全功能功率半導(dǎo)體晶圓廠以及真空焊接組裝能力。 我們的產(chǎn)品應(yīng)用于高級規(guī)格領(lǐng)域，苛刻的應(yīng)用環(huán)境和困難的電氣參數(shù)一直是Transys發(fā)展的關(guān)鍵。 在關(guān)鍵人員和設(shè)備方面的大量投資使Transys即使在一個擁有大得多的公司的行業(yè)中也能保持技術(shù)領(lǐng)先。 Transys在其伯明翰總部維持著一個完整的5000平方英尺的晶圓廠，每周能夠生產(chǎn)4000片4英寸、5英寸和8英寸的功率半導(dǎo)體晶圓。 產(chǎn)品范圍包括IGBT、Mosfet、功率晶體管、小信號晶體
