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位置：CSD23202W10T.B > CSD23202W10T.B詳情

CSD23202W10T.B中文資料

廠家型號(hào)

CSD23202W10T.B
文件大小

496.59Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11頁(yè)
功能描述

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
生產(chǎn)廠商

TI2

CSD23202W10T.B數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情

1 Features

1? Ultra-Low Qg and Qgd

? Small Footprint 1 mm × 1 mm

? Low Profile 0.62-mm Height

? Pb Free

? Gate ESD Protection – 3 kV

? RoHS Compliant

? Halogen Free

2 Applications

? Battery Management

? Load Switch

? Battery Protection

3 Description

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the

lowest on-resistance and gate charge in a small

1 mm × 1 mm outline with excellent thermal

characteristics in an ultra-low profile.

更新時(shí)間：2025-9-22 10:01:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TI/德州儀器
2023+
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11000
AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
TI
16+
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10000
原裝正品
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23+
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30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

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