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位置:NAND512W3A2CZA6E > NAND512W3A2CZA6E詳情

NAND512W3A2CZA6E中文資料

廠家型號

NAND512W3A2CZA6E

文件大小

916.59Kbytes

頁面數(shù)量

57

功能描述

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

生產(chǎn)廠商

STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

LOGO

NAND512W3A2CZA6E數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情

SUMMARY DESCRIPTION

The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses

the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

FEATURES SUMMARY

■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES

– Up to 1 Gbit memory array

– Up to 32 Mbit spare area

– Cost effective solutions for mass storage applications

■ NAND INTERFACE

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed Address/ Data

– Pinout compatibility for all densities

■ SUPPLY VOLTAGE

– 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V

– 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V

■ PAGE SIZE

– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

– x16 device: (256 + 8 spare) Words

■ BLOCK SIZE

– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

– x16 device: (8K + 256 spare) Words

■ PAGE READ / PROGRAM

– Random access: 12μs (max)

– Sequential access: 50ns (min)

– Page program time: 200μs (typ)

■ COPY BACK PROGRAM MODE

– Fast page copy without external buffering

■ FAST BLOCK ERASE

– Block erase time: 2ms (Typ)

■ STATUS REGISTER

■ ELECTRONIC SIGNATURE

■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION

– Simple interface with microcontroller

■ SERIAL NUMBER OPTION

■ HARDWARE DATA PROTECTION

– Program/Erase locked during Power transitions

■ DATA INTEGRITY

– 100,000 Program/Erase cycles

– 10 years Data Retention

■ RoHS COMPLIANCE

– Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive

■ DEVELOPMENT TOOLS

– Error Correction Code software and hardware models

– Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms

– File System OS Native reference software

– Hardware simulation models

NAND512W3A2CZA6E產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND512W3A2CZA6E

  • 功能描述

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

  • RoHS

  • 類別

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列

    -

  • 產(chǎn)品變化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標準包裝

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存儲器

    RAM

  • 存儲器類型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存儲容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并聯(lián)

  • 電源電壓

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼

    165-TBGA

  • 供應商設備封裝

    165-CABGA(13x15)

  • 包裝

    托盤

  • 其它名稱

    71P71804S200BQ

更新時間:2025-7-2 10:12:00
供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
24+
BGA
23000
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
ST
2016+
BGA
6528
只做進口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
ST
2020+
O-NEWB
79
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
ST
23+
VFBGA-55
5000
原裝正品,假一罰十
ST
6000
面議
19
DIP/SMD
ST
24+
BGA
20000
全新原廠原裝,進口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅??!
Numonyx/STMi
23+
63-VFBGA
65480
Micron Technology Inc.
21+
78-FBGA
5280
進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
Micron Technology Inc.
24+
63-VFBGA(9x11)
56200
一級代理/放心采購
ST
08+PBF
BGA
1
普通

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STMicroelectronics 意法半導體集團

中文資料: 161642條

意法半導體 (STMicroelectronics) 成立于1987年,總部位于瑞士日內瓦和法國巴黎,是一家全球領先的半導體公司。意法半導體專注于設計、制造和銷售各種半導體解決方案,產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、通信等領域。 意法半導體的產(chǎn)品包括微控制器、模擬集成電路、功率半導體、傳感器等。公司擁有多個研發(fā)中心和生產(chǎn)基地,致力于技術創(chuàng)新和研發(fā)投入。意法半導體在全球范圍內擁有廣泛的客戶群和合作伙伴,為客戶提供高品質的產(chǎn)品和解決方案。 公司的使命是通過半導體技術推動智能化和可持續(xù)發(fā)展,助力客戶取得成功。意法半導體不僅注重商業(yè)成功,還注重社會責任、環(huán)境保護和可持續(xù)經(jīng)營。企業(yè)價值觀包括創(chuàng)新、尊重