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位置:NAND01GR3M5AZC5F > NAND01GR3M5AZC5F詳情

NAND01GR3M5AZC5F中文資料

廠家型號

NAND01GR3M5AZC5F

文件大小

228.19Kbytes

頁面數(shù)量

23

功能描述

256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

256/512Mb/1Gb(x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb(x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

數(shù)據(jù)手冊

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簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

生產廠商

STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體集團官網

LOGO

NAND01GR3M5AZC5F數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情

Summary description

The NAND256-M, NAND512-M and NAND01G-M are Multi-Chip Packages which combine up to 512 Mbit LPSDRAM with a 256 Mbit, 512 Mbit or 1 Gbit NAND Flash memory. This combination of LPSDRAM and NAND Flash can result in up to 1 Gbit of memory.

Features

■ Multi-Chip Packages

– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND Flash + 1 die of 256 Mb (x16) SDR LPSDRAM

– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND Flash + 2 dice of 256 Mb (x16) SDR LPSDRAMs

– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND Flash +1 die of 256 Mb (x16) DDR LPSDRAM

– 1 die of 512 Mb (x16) NAND Flash + 1 die of 256 Mb or 512 Mb (x16) DDR LPSDRAM

■ Supply voltages

– VDDF = 1.7V to 1.95V or 2.5V to 3.6V

– VDDD = VDDQD = 1.7V to 1.9V

■ Electronic Signature

■ ECOPACK? packages

■ Temperature range

– -30 to 85°C

Flash Memory

■ NAND Interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed Address/ Data

■ Page size

– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

– x16 device: (256 + 8 spare) Words

■ Block size

– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

– x16 device: (8K + 256 spare) Words

■ Page Read/Program

– Random access: 15μs (max)

– Sequential access: 50ns (min)

– Page program time: 200μs (typ)

■ Copy Back Program mode

– Fast page copy without external buffering

■ Fast Block Erase

– Block erase time: 2ms (typ)

■ Status Register

■ Data integrity

– 100,000 Program/Erase cycles

– 10 years Data Retention

LPSDRAM

■ Interface: x16 or x 32 bus width

■ Deep Power Down mode

■ 1.8v LVCMOS interface

■ Quad internal Banks controlled by BA0 and BA1

■ Automatic and controlled Precharge

■ Auto Refresh and Self Refresh

– 8,192 Refresh cycles/64ms

– Programmable Partial Array Self Refresh

– Auto Temperature Compensated Self Refresh

■ Wrap sequence: sequential/interleave

■ Burst Termination by Burst Stop command and Precharge command

NAND01GR3M5AZC5F產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GR3M5AZC5F

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    256/512Mb/1Gb(x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb(x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

更新時間:2025-7-1 15:14:00
供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
16+
BGA
985
進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢!
ST
25+
BGA
6500
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
ST
23+
BGA
3000
原裝正品假一罰百!可開增票!
ST
10+
TSSOP
108
普通
ST
2023+環(huán)?,F(xiàn)貨
BGA
7500
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務
STM
2016+
TSSOP48
6523
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨!
MICRON
19+
TSSOP
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
ST
24+
TSOP-48
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
ST/意法
23+
TSSOP48
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
STM
23+
TSSOP48
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

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STMicroelectronics 意法半導體集團

中文資料: 161640條

意法半導體 (STMicroelectronics) 成立于1987年,總部位于瑞士日內瓦和法國巴黎,是一家全球領先的半導體公司。意法半導體專注于設計、制造和銷售各種半導體解決方案,產品廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、通信等領域。 意法半導體的產品包括微控制器、模擬集成電路、功率半導體、傳感器等。公司擁有多個研發(fā)中心和生產基地,致力于技術創(chuàng)新和研發(fā)投入。意法半導體在全球范圍內擁有廣泛的客戶群和合作伙伴,為客戶提供高品質的產品和解決方案。 公司的使命是通過半導體技術推動智能化和可持續(xù)發(fā)展,助力客戶取得成功。意法半導體不僅注重商業(yè)成功,還注重社會責任、環(huán)境保護和可持續(xù)經營。企業(yè)價值觀包括創(chuàng)新、尊重