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IRF640S中文資料

廠家型號

IRF640S

文件大小

84.23Kbytes

頁面數(shù)量

8

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

IRF640S數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY?process. This technology matches and improves the performances compared with

standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on)= 0.150?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

IRF640S產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IRF640S

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間:2025-9-13 14:14:00
供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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全新原裝

IRF640STRRPBF 價格

參考價格:¥3.5671

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