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BUJ103中文資料

廠家型號

BUJ103

文件大小

103.02Kbytes

頁面數(shù)量

12

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

生產(chǎn)廠商

PHI

BUJ103數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

BUJ103產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    BUJ103

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時間:2025-8-19 15:27:00
供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHI
2023+
SMD
2000
安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨
PHI
24+
TO-220
80000
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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TO-220F
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十