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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

iscN-ChannelMosfetTransistor

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower

IRF

International Rectifier

IRF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司

ESTEK

N-ChannelMOSFET

文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

N-ChannelMOSFET

文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild
更新時間：2025-7-23 12:17:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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