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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,exceptionala

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STMICROELECTRONICS

N-CHANNELCLAMPED14A-D2PAKINTERNALLYCLAMPEDPowerMESH??IGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperformances.Thebuiltincollector-gatezenerexhibitsaverypreciseactiveclampingwhilethegate-emitter

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STMICROELECTRONICS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.10785 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI
更新時間：2025-7-23 15:39:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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