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PHD78NQ03LT中文資料

廠家型號(hào)

PHD78NQ03LT

文件大小

202.28Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12頁(yè)

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

生產(chǎn)廠商

恩XP

PHD78NQ03LT數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)PDF詳情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

■ Suitable for logic level gate drive sources

Applications

■ Computer motherboards

■ DC-to-DC convertors

PHD78NQ03LT產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    PHD78NQ03LT

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時(shí)間:2025-7-10 10:18:00
供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
恩XP
23+/24+
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