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位置:NAND01GW3A2BE06 > NAND01GW3A2BE06詳情

NAND01GW3A2BE06中文資料

廠家型號

NAND01GW3A2BE06

文件大小

1171.29Kbytes

頁面數(shù)量

48

功能描述

Known Good Die, 1 Gbit (x 8/x 16), 528 Byte/264 word page, 3 V, NAND Flash memory

閃存 Known GD Die 1Gbit

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

簡稱

NUMONYX

生產(chǎn)廠商

numonyx

中文名稱

官網(wǎng)

LOGO

NAND01GW3A2BE06產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GW3A2BE06

  • 功能描述

    閃存 Known GD Die 1Gbit

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度

    1 bit

  • 存儲類型

    Flash

  • 存儲容量

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu)

    256 K x 8

  • 接口類型

    SPI

  • 電源電壓-最大

    3.6 V

  • 電源電壓-最小

    2.3 V

  • 最大工作電流

    15 mA

  • 工作溫度

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風格

    SMD/SMT

  • 封裝

    Reel

更新時間:2025-7-3 15:58:00
供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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  • OHHALLSENSOR

numonyx

中文資料: 4589條

Numonyx是一家曾經(jīng)存在的存儲技術(shù)公司,于2008年由英特爾(Intel)和STMicroelectronics共同創(chuàng)立。Numonyx專注于非易失性存儲器(NVM)技術(shù)和閃存存儲器技術(shù),為客戶提供各種存儲解決方案和產(chǎn)品。 Numonyx的產(chǎn)品包括閃存存儲器、嵌入式存儲器、非易失性存儲器等,在計算機、消費電子、通信、汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。公司致力于技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā),不斷提升產(chǎn)品性能、可靠性和創(chuàng)新性,以滿足客戶不斷增長的需求。 2010年,美國存儲技術(shù)公司Micron Technology收購了Numonyx,并將其整合為Micron的一部分。這一收購使Micron得以拓展其存儲技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)