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集成電路史上最著名的十個(gè)人,兩個(gè)是中國(guó)人
偉大的發(fā)明與人物總會(huì)被歷史驗(yàn)證與牢記,在集成電路發(fā)展歷程中,有很多人做出了突出的貢獻(xiàn),讓我們的生活產(chǎn)生了翻天覆地的變化。
1、肖克利、巴丁、布拉頓(三人)
晶體管的發(fā)明人
晶體管的問(wèn)世,是微電子革命的先聲,也為集成電路的誕生吹響了號(hào)角。
1947年12月,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件BSR57,來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。
晶體管的問(wèn)世
1956年,肖克利、巴丁、布拉頓三人,因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。肖克利被稱為“晶體管之父”,利用他的名聲,招募了一批杰出的年青科學(xué)家,其中有大名鼎鼎的“八叛逆”,為后續(xù)一大批知名半導(dǎo)體公司的創(chuàng)立打下了基礎(chǔ)。
2、杰克·基爾比
集成電路之父
集成電路的出現(xiàn),開(kāi)創(chuàng)了電子技術(shù)歷史的新紀(jì)元,奠定了現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)。
1958年9月12日,基爾比研制出世界上第一塊集成電路,成功地實(shí)現(xiàn)了把電子器件集成在一塊半導(dǎo)體材料上的構(gòu)想,并通過(guò)了德州儀器公司高層管理人員的檢查。請(qǐng)記住這一天,集成電路取代了晶體管,為開(kāi)發(fā)電子產(chǎn)品的各種功能鋪平了道路,并且大幅度降低了成本,使微處理器的出現(xiàn)成為了可能,開(kāi)創(chuàng)了電子技術(shù)歷史的新紀(jì)元。2000年基爾比因?yàn)榘l(fā)明集成電路而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
集成電路
3、羅伯特·諾伊斯
科學(xué)、商業(yè)雙料巨人
可商業(yè)生產(chǎn)的集成電路,使半導(dǎo)體進(jìn)入了商用時(shí)代。
羅伯特·諾伊斯在基爾比的基礎(chǔ)上發(fā)明了可商業(yè)生產(chǎn)的集成電路,使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由“發(fā)明時(shí)代”進(jìn)入了“商用時(shí)代”。1971年,諾伊斯所在的Intel成功地在一塊12平方毫米的芯片上集成了2300個(gè)晶體管,制成了一款包括運(yùn)算器、控制器在內(nèi)的可編程序運(yùn)算芯片,也就是我們現(xiàn)在所說(shuō)的中央處理單元(CPU),又稱微處理器,這也是世界上第一款微處理器——4004。自此英特爾(Intel)開(kāi)始了飛速發(fā)展,從1968年的收入為零直到今天超過(guò)三百五十億美金營(yíng)業(yè)額。
4、瓊·赫爾尼
奠定了硅在電子產(chǎn)業(yè)中的地位
半導(dǎo)體生產(chǎn)發(fā)生了革命性的變化。
1959年,Jean Hoerni發(fā)明了平面工藝,一種叫做光學(xué)蝕刻的處理方法。開(kāi)始,他用的是一片鍺或硅,然后他在上面噴灑上一層叫做光阻劑的物質(zhì)。如果你把光照在上面,光阻劑就會(huì)變得堅(jiān)硬,然后你就可以用一種特殊的化學(xué)藥品清除掉沒(méi)有被光照射到的光阻劑。所以,赫爾尼就創(chuàng)造了一個(gè)光罩,它就像一張底片,上面有一簇小孔,用來(lái)過(guò)濾掉不清潔的東西,然后讓它在光線中翻動(dòng)。在化學(xué)洗滌之后,金屬板上只要是留下光阻劑的地方,雜質(zhì)就不會(huì)散落到下面。來(lái)解決平面晶體管的可靠性問(wèn)題,因而使半導(dǎo)體生產(chǎn)發(fā)生了革命性的變化。堪稱為“20世紀(jì)意義最重大的成就之一”,并稱其奠定了硅作為電子產(chǎn)業(yè)中關(guān)鍵材料的地位。
5、戈登·摩爾
摩爾定律硅谷的基石
摩爾定律像一股不可抗拒的自然力量,統(tǒng)治了硅谷乃至全球計(jì)算機(jī)業(yè)三十多年。
1965年,有一天摩爾離開(kāi)硅晶體車間坐下來(lái),拿了一把尺子和一張紙,畫(huà)了個(gè)草圖??v軸代表不斷發(fā)展的芯片,橫軸為時(shí)間,結(jié)果是很有規(guī)律的幾何增長(zhǎng)。這一發(fā)現(xiàn)發(fā)表在當(dāng)年第35期《電子》雜志上。這篇不經(jīng)意之作也是迄今為止半導(dǎo)體歷史上最具意義的論文。
摩爾定律的偉大在于,半導(dǎo)體行業(yè)的工程師們遵循著這一定律,不僅每18個(gè)月將晶體管的數(shù)量翻一翻,更是意味著同樣性能的芯片每18個(gè)月體積就可以縮小一半,成本減少一半。
6、安迪·格羅夫
微處理器之王
印有“Intel Inside”品牌標(biāo)志的處理器成了世界上80%計(jì)算機(jī)的心臟
從1987年接過(guò)英特爾的CEO接力棒之后,安迪·格羅夫不斷以打破傳統(tǒng)、挑戰(zhàn)現(xiàn)有邏輯的戰(zhàn)略思維,使微處理器這顆數(shù)字革命的心臟強(qiáng)勁跳動(dòng),為數(shù)字時(shí)代提供源源不斷的動(dòng)力。
1986年格羅夫提出的新的口號(hào)“英特爾,微處理器公司”,毅然舍棄儲(chǔ)存業(yè)務(wù)把英特爾的主營(yíng)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)到微處理器上去。同年英特爾推出386系列處理器,又相繼推出486,奔騰系列中央處理器,處理器的性能越來(lái)越強(qiáng)大,速度越來(lái)越快,個(gè)人電腦時(shí)代來(lái)臨了?!癐ntel Inside”一度成為本產(chǎn)業(yè)的黃金標(biāo)準(zhǔn),響徹全球也在改變著世界
7、胡正明
FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人
對(duì)半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)及未來(lái)的微型化做出了重大貢獻(xiàn)。
胡正明教授領(lǐng)導(dǎo)研究出BSIM,該數(shù)學(xué)模型于1997年被國(guó)際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì)選為設(shè)計(jì)芯片的第一個(gè)且唯一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn);發(fā)明了在國(guó)際上極受注目的FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件;提出熱電子失效的物理機(jī)制,開(kāi)發(fā)出用碰撞電離電流快速預(yù)測(cè)器件壽命的方法,并且提出薄氧化層失效的物理機(jī)制和用高電壓快速預(yù)測(cè)薄氧化層壽命的方法;首創(chuàng)了在器件可靠性物理的基礎(chǔ)上的IC可靠性的計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬工具。
8、張忠謀
集成電路代工產(chǎn)業(yè)的締造者
一個(gè)人定義了一個(gè)產(chǎn)業(yè),一個(gè)人讓整個(gè)集成電路行業(yè)更有活力。
1987年,張忠謀創(chuàng)建了全球第一家專業(yè)代工公司——臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體代工時(shí)代。臺(tái)積電模式創(chuàng)造了兩個(gè)新的行業(yè)——晶圓代工廠和Fabless。由于省去了費(fèi)用高昂的晶圓制造環(huán)節(jié),集成電路行業(yè)整體門檻降低,誕生了一大批新生的具有活力的集成電路設(shè)計(jì)公司,為整個(gè)集成電路行業(yè)帶來(lái)了新活力與創(chuàng)意。集成電路細(xì)分工時(shí)代全面到來(lái),一個(gè)嶄新的更具活力的集成電路行業(yè)展現(xiàn)在我們面前。
半導(dǎo)體集成電路發(fā)展史
電解電容 33uF/400V
電解電容 22uF/50V
1N60 0. 5A/ 60V
1N60 0. 5A/ 60V
DFO6M 1A/ 600V
KBP205G 2A/600V
KBP206G 2A/ 600V
GBP206 2A/ 600V
KBP206G 2A/600V
2W06M 2A/ 600V
D2SB60A 2A/600V
KBP206 2A/ 600V
2W08M 2A/800V WOM
KBP306 3A/ 800V
GBP306 3A/ 600V
KBPM306G 3A/ 800V
PBL 405 4A/ 600V
KBL 405G 4A/ 600V
RS-405 4A/ 600V
KBL 405G 4A/ 600V
RS405L 4A/ 600V
GBU406 4A/ 600V
KBL 406 4A/ 600V
KBP06 2A/600V
GBU6J 6A/ 600V
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TL431G
GBP206
FR204
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APL5312-33BI-TRG
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EUP2584
APL5312-18BI-TRL
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APL5312-30BI-TRL
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CD4011 DIP-14
CD4011 DIP-14
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CD4093 DIP-14
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TC427 DIP-8
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CD4541 DIP-14
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L4981A DIP-20
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TPS5510/3570788
TPS5510/3570788
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89C52 8K DIP-40
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FM93C66 4096-Bit DIP-08
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LM339N
LM339 DIP-14
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UC3843AN
UC3843BN DIP-8
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TL431 0.5%_TO-92
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A431
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L7805CV 1.5A/5V TO-220
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LM7805CT 1A/5V TO-200
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KA7824 1A/24V TO-220
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TL431 SOT-25 SO-5
4N33SD SO-6
4N35D SO-6
MIC4427BM SO-8
HEF4541B SO-14
HT46R47 S-S018 (ANTEC溫度計(jì))
HT46R47 S-S018 (ANTEC溫度計(jì))
LTC485 SO-8
L4981AD SO-20
ICS502 SOIC8
LL5402D SOP-8
NE555DT S0-8
PIC16C56XT SO18
TLV5620 SO-14
PQEP M5621-G 100PIN USB2.0ALI
M62334FP 8P2S-A
USB SMD PQFPGL641 48PIN
GL650USB OFP 48PIN
GL650USB OFP 48PIN
L6561D SO8
CS 6633B2-100
6633B1-100
L6712 VFQFPN-36
SG6840S SO-8
SG6840S SO-8
SG-6848 SOT-26
MC68HC908JB8 SOIC20
SAA7114H SOT407-1
SAA7118-BGA SOT472
ADV7123KST-140 ST48
D720100 AGM 160PIN
UPD720110 100P AGC USB2.0 HUB
TDA7313ND SO28
SN74LVC02ADR SO-14
SN74LVC02ADR SO-14
74HC/HCT04 SO-14
74HC08D SO14
74LV1G125 S0T-23
74LVC126A SOP14
74HC138 SO-16
74HC138 SO-16
PH74HC14D-653 SO14
74HC/HCT244 SOj-20
74HC244D SO20
PH74LV74AD,118 SOP14
PH74LVC74AD-118 SO14
WT7517-167 16-PIN
DAC7612U 12-bit S0-8
7805 TO-263 SO-3
KIA78L09F SOT-89
MAX810 SOT-23-3
H11A817BSD SO-4
H11A817BSD
AD8381_RPV LQFP-ST48P
K9F1208UOM-YCBO 48P 64MB
K9F5608UOA-YCBO 48P 32MB
K9F2808UOB-YCBO 48P 16MB
K9F1G08UOM-YCBO 48P 128MB
G910T21U SOT89 5V-3.3V
G910T21U SOT89 5V-3.3V
G910T65K 3.3V S0T-223
OXFORD911 128PIN
RT9164 33CG SOT-223
K9K2G08UOM-YCBO 48P 256MB
SMD8S0IC 93C46(1K)
FM93C66 4096-Bit SO-08
AT93C66-10SI-2.7 SO-8
1N60 0. 5A/ 60V
1N60 0. 5A/ 60V
DF06M 1A/ 600V
KBP205G 2A/600V
KBP206G 2A/ 600V
GBP206 2A/ 600V
KBP206G 2A/600V
2W06M 2A/ 600V
D2SB60A 2A/600V
KBP206 2A/ 600V
2W08M 2A/800V WOM
KBP306 3A/ 800V
GBP306 3A/ 600V
KBPM306G 3A/ 800V
PBL405 4A/ 600V
KBL405G 4A/ 600V
RS-405 4A/ 600V
KBK405G 4A/ 600V
RS405L 4A/ 600V
GBU406 4A/ 600V
KB 406 4A/ 600V
KBP06 2A/600V
GBU6J 6A/ 600V
電解電容 33uF/400V
電解電容 22uF/50V
G6S-2F-TR-DC12V
TL431G
GBP206
FR204
APL5312
APL5312-33BI-TRG
APL5312-33BI-TRL
APL5312-18BI-TRG
APL5312-28BI-TRG
APL5312-25BI-TRG
APL5312-30BI-TRG
EUP2584
APL5312-18BI-TRL
APL5312-25BI-TRL
APL5312-28BI-TRL
APL5312-30BI-TRL
PN8149
PN8149NSC-T1
NTC5D-9
R1LP0408CSB-5SI
TL431G-AE3-R
HF46F/12-HS1
HF46F/12-HS1T
電解電容 470uF/25
RUH30120M
KBP06 2A/ 600V
GBU6J 6A/ 600V
GBU6J 6A/ 600V
PBU6056A/ 600V
RS-6056A/ 600V
|PBU605 6A/ 600V
GBU6056A/600V
GBU606 6A/ 800V .
KBU6066A/ 600V
GBU606 6A/ 800V
RS-6066A/ 800V
GBU6066A/ 600V
STBR6086A/800V
GBU806 8A/ 600V .
KBU8J 8A/ 600V
KBJ8J 8A/600V (超薄)
GBU806 8A/ 600V .
GBU100610A/ 600V
KBU10J 10A/ 600V
GBU1006 10A/600V
DI106 1A/600V
GBU1506 15A/ 600V
KBL2062A/600V
KBP206G 2A/ 600V
2KBP06M 2A/ 600V
2KBP08M 2A/800V
2W10G 2A/1KV
2W10G 2A/1KV
GBU2506 25A/ 600V
25-12 25A/1200V
26MB120A 25A/ 1200V
36MB120A 35A/ 1200V
VU036-16 N08 5PIN
GBU4J 4A/ 600V
TS4B06G 4A/ 800V
KBL405 4A/600V
BP60-0660A/ 600V (60A SMR)
DSEP2X61-06A 4PIN
VU062-16N07EA
綠色HSMG-C650 1206
93LC66T S08
AU9380B28-CBL TQFP 48PIN
AU9380B24-CAT TQFP48 PIN
AD9883AKST-140 ST-80
AD9883A-110 80TQFP
MST98831-110 LQFP80
R1LP0408CSB-5SI
TL431G-AE3-R
HF46F/12-HS1
HF46F/12-HS1T
電解電容 470uF/25
RUH30120M