制造商 Vishay Siliconix
制造商零件編號(hào) SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 14 周
詳細(xì)描述 表面貼裝型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3，000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchFET?
其它名稱 SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDST1GE3
規(guī)格
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.1A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 112 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
優(yōu)勢(shì)供應(yīng)：
M51450G
EL7536IYZ
EL7536IYZ-T7
SI2301CDS-T1-GE3
EL7536IYZ(BFAAA)
SN74AHC1G14DBVR
SI2301CDS-T1-GE3
SD1169
SRFE1169
AD620AN
24LC641
MRFA1600
MRA1600-6
MRF1600-2
PH1600-30
MRA1600-2
PH1600-32
PH1600-1.5
MRA1600-30
PH1600-6.5
S08K31
LVC16245A
LVC16244A
UF2010R
TA7201S
MRF136Y
ST9917
ATF10136
SI2301CDS-T1-GE3
M2557BM
PA7674
MGF1601
D1217UK
P9030MB
MRF9030S
MRF9030GR1
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
MRF9030GNR1
