制造商: Cree， Inc.

產(chǎn)品種類: 射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

RoHS: 詳細(xì)信息

晶體管類型: HEMT

技術(shù): GaN

增益: 15 dB

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.5 A

輸出功率: 45 W

最大漏極/柵極電壓: -

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: -

安裝風(fēng)格: Screw Mount

封裝 / 箱體: 440193

封裝: Tray

應(yīng)用: -

配置: Single

高度: 4.19 mm

長度: 20.46 mm

工作頻率: 2 GHz to 4 GHz

工作溫度范圍: -

產(chǎn)品: GaN HEMT

寬度: 5.97 mm

商標(biāo): Wolfspeed / Cree

正向跨導(dǎo) - 最小值: -

閘/源截止電壓: -

類: -

開發(fā)套件: CGH40035F-TB

下降時間: -

NF—噪聲系數(shù): -

P1dB - 壓縮點: -

產(chǎn)品類型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: -

上升時間: -

工廠包裝數(shù)量: 120

子類別: Transistors

典型關(guān)閉延遲時間: -

Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V