制造商: Cree， Inc.

產(chǎn)品種類: 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

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RoHS: 詳細(xì)信息

晶體管類型: HEMT

技術(shù): GaN

增益: 17 dB

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 : 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A

輸出功率: 75 W

最大漏極/柵極電壓: -

最小工作溫度: -

最大工作溫度: -

Pd-功率耗散: 41.6 W

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Die

封裝: Gel Pack

應(yīng)用: -

配置: -

高度: 100 um

長(zhǎng)度: 3 mm

工作頻率: 6 GHz

工作溫度范圍: -

產(chǎn)品: GaN HEMT

寬度: 820 um

商標(biāo): Wolfspeed / Cree

正向跨導(dǎo) - 最小值: -

閘/源截止電壓: -

類: -

開發(fā)套件: -

下降時(shí)間: -

NF—噪聲系數(shù): -

P1dB - 壓縮點(diǎn): -

產(chǎn)品類型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms

上升時(shí)間: -

工廠包裝數(shù)量: 10

子類別: Transistors

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: -

Vgs th-柵源極閾值電壓: - 10 V， + 2 V

零件號(hào)別名: CGHV60075D5-GP4