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SI2307CDS-T1-GE3

發(fā)布企業(yè):深圳市粵駿騰電子科技有限公司時(shí)間:2019-10-25 14:50:00

企業(yè)深圳市粵駿騰電子科技有限公司

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SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3 Single P-Channel 30 V 88 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000

FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn) Standard

漏極至源極電壓(VDSS) 30V

電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 3.5A

Rds(最大)@ ID,VGS 88 mOhm @ 3.5A, 10V

VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA

柵極電荷(Qg)@ VGS 6.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)@ Vds的 340pF @ 15V

功率 - 最大 1.8W

安裝類型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3SOT-23

渠道類型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 30 V

最大連續(xù)漏極電流 2.7 A

RDS -于 88@10V mOhm

最大門源電壓 ±20 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 40 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間 20 ns

典型下降時(shí)間 17 ns

工作溫度 -55 to 150 °C

安裝 Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel

最大門源電壓 ±20

包裝寬度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1100

最大漏源電壓 30

歐盟RoHS指令 Compliant

最大漏源電阻 88@10V

每個(gè)芯片的元件數(shù) 1

最低工作溫度 -55

供應(yīng)商封裝形式 SOT-23

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23

最高工作溫度 150

包裝長(zhǎng)度 3.04(Max)

引腳數(shù) 3

包裝高度 1.02(Max)

最大連續(xù)漏極電流 2.7

封裝 Tape and_Reel

鉛形狀 Gull-wing

P( TOT ) 1.8W

匹配代碼 SI2307CDS

單位包 3000

標(biāo)準(zhǔn)的提前期 15 weeks

最小起訂量 3000

極化 P-CHANNEL

無鉛Defin RoHS-conform

汽車 NO

我(D ) 2.7A

V( DS ) 30V

R( DS上) 0.088Ohm

FET特點(diǎn) Standard

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 3.5A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA

供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)

開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 88 mOhm @ 3.5A, 10V

FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 1.8W

漏極至源極電壓(Vdss) 30V

輸入電容(Ciss ) @ VDS 340pF @ 15V

閘電荷(Qg ) @ VGS 6.2nC @ 4.5V

封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SI2307CDS-T1-GE3CT

漏極電流(最大值) 2.7 A

頻率(最大) Not Required MHz

柵源電壓(最大值) ?20 V

輸出功率(最大) Not Required W

功率耗散 1.1 W

噪聲系數(shù) Not Required dB

漏源導(dǎo)通電阻 0.088 ohm

工作溫度范圍 -55C to 150C

包裝類型 SOT-23

極性 P

類型 Power MOSFET

元件數(shù) 1

工作溫度分類 Military

漏極效率 Not Required %_ 漏源導(dǎo)通電壓 30 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

連續(xù)漏極電流 2.7 A

刪除 Compliant

晶體管極性 :P Channel

Continuous Drain Current Id :-2.7A

Drain Source Voltage Vds :-30V

On Resistance Rds(on) :138mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :20V

Threshold Voltage Vgs :-3V

Weight (kg) 0

Tariff No. 85412900

功耗 :1.1W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

型號(hào)查詢 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SI2307CDS-T1-GE3
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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VISHAY/威世
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SOT-23
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百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅