SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23

SI2304DDS-T1-GE3產(chǎn)品詳細規(guī)格

標準包裝 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特點 Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS） 30V

電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 3.3A

Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 3.2A， 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 2.2V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS 6.7nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@ Vds的 235pF @ 15V

功率 - 最大 1.7W

安裝類型 *_

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 30 V

最大連續(xù)漏極電流 3.3 A

RDS -于 60@10V mOhm

最大門源電壓 ±20 V

典型導通延遲時間 12 ns

典型上升時間 50 ns

典型下降時間 22 ns

工作溫度 -55 to 150 °C

安裝 Surface Mount

標準包裝 Tape & Reel

最大門源電壓 ±20

包裝寬度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1100

最大漏源電壓 30

歐盟RoHS指令 Compliant

最大漏源電阻 60@10V

每個芯片的元件數(shù) 1

最低工作溫度 -55

供應(yīng)商封裝形式 SOT-23

標準包裝名稱 SOT-23

最高工作溫度 150

渠道類型 N

包裝長度 3.04(Max)

引腳數(shù) 3

包裝高度 1.02(Max)

最大連續(xù)漏極電流 3.3

封裝 Tape and_Reel

鉛形狀 Gull-wing

FET特點 Logic Level Gate

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 3.3A (Ta)， 3.6A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.2V @ 250μA

漏極至源極電壓（Vdss） 30V

供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 60 mOhm @ 3.2A， 10V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.7W

輸入電容（Ciss ） @ VDS 235pF @ 15V

閘電荷（Qg ） @ VGS 6.7nC @ 10V

封裝/外殼 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SI2304DDS-T1-GE3CT

連續(xù)漏極電流 3.3 A

柵源電壓（最大值） ?20 V

功率耗散 1.1 W

漏源導通電阻 0.06 ohm

工作溫度范圍 -55C to 150C

包裝類型 SOT-23

極性 N

類型 Power MOSFET

元件數(shù) 1

工作溫度分類 Military

漏源導通電壓 30 V

弧度硬化 No

刪除 Compliant

晶體管極性 :N Channel

Continuous Drain Current Id :3.6A

Drain Source Voltage Vds :30V

On Resistance Rds(on) :0.049ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :10V

Threshold Voltage Vgs :2.2V

功耗 :1.1W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :3.3A

工作溫度范圍 :-55°C to +150°C

10月24日，三星在加利福尼亞州圣何塞舉行的2019年“三星技術(shù)活動”上正式推出了最新款Exynos 990旗艦處理器，并計劃于明年年初推出搭載該處理器的智能手機。

　　從官方發(fā)布的消息看，這是一款基于7nm EUV工藝的旗艦移動處理器，采用三叢集架構(gòu)設(shè)計，兩顆大核采用自主研發(fā)架構(gòu)，搭配兩顆Cortex-A76(中核)以及四顆Cortex-A55(小核)。這款處理器采用的GPU為 Mali G77 MP11，同時支持SA與NSA 5G，并向下兼容2G、3G和4G。

　　緊密連發(fā)兩款5G處理器 押注未來搶占先機

　　事實上，Exynos 990并非三星的第一款5G處理器。不久前的9月4日，三星就發(fā)布了首款內(nèi)置5G基帶的三星Exynos 980，在該產(chǎn)品中便加入了對 5G和WIFI 6的支持。從Exynos 980到Exynos 990，兩者的發(fā)布時間點相差還不到兩月，這大大出乎業(yè)界意料。

　　透過兩款5G處理器發(fā)布的緊密節(jié)奏，可以看出，三星確實是有些急躁，當然這也與韓國意圖在5G方面取得領(lǐng)先優(yōu)勢的心情一致。早在去年12月1日，韓國便為了搶在美國前面推出5G商用服務(wù)計劃，但由于傳輸速率不理想和信號源太少等原因，并沒有帶來好口碑。和三星形成鮮明對比的是，其競爭對手華為一直保持著穩(wěn)進有序的步調(diào)，從去年的麒麟980到今年的麒麟990，兩款產(chǎn)品發(fā)布間隔周期恰好一年。

　　早在2011年，三星便開始投入資金用于5G研發(fā)，并逐步與歐美日韓等國運營商達成合作，為后者提供5G設(shè)備。雖然三星已成全球第四大通信設(shè)備商，但這顯然離它的目標仍有很大距離。三星集團曾于2018年8月對外宣布，計劃在未來三年向5G與人工智能領(lǐng)域投入220億美元?？梢?，為了取得更長遠的發(fā)展，三星已經(jīng)將5G視作未來業(yè)績增長的一大核心突破點。

　　兩大核心板塊齊受挫 帶來濃重危機感

　　進入2019年后，三星接連經(jīng)歷了營收大幅下滑、工廠關(guān)閉等事件，身上頂著不小的壓力。今年7月31日，三星電子發(fā)布的財報顯示，2019年上半年三星電子銷售總額為108.52萬韓元，同比下降8.8%;營業(yè)利潤為12.83萬韓元，同比下降達57.9%。2018年，三星也先后關(guān)閉了深圳和天津的手機制造廠。而今年10月，三星又關(guān)閉了位于惠州的工廠，這也是三星在中國原本僅存的一座工廠。從業(yè)務(wù)板塊來看，三星最核心的半導體部門、IT和移動通信部門在2019年均出現(xiàn)了利潤下滑。

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9月23日5時10分，在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心，我國以“一箭雙星”方式成功發(fā)射第47、48顆北斗導航衛(wèi)星。

　　據(jù)中新網(wǎng)報道，這次發(fā)射正式拉開了北斗三號從基本系統(tǒng)向完整系統(tǒng)大步邁進的高密度發(fā)射序幕。

　　近年來，無論是北斗系統(tǒng)還是北斗產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)都取得了一些成績。

　　據(jù)中新網(wǎng)報道，經(jīng)過數(shù)年努力，長期依靠進口的行波管放大器組件、微波開關(guān)、大功率電源控制器、動量輪組件、星敏感器等關(guān)鍵產(chǎn)品，已實現(xiàn)主、備份全部國產(chǎn)化。北斗三號衛(wèi)星部件國產(chǎn)化率達到100%。

　　以行波管放大器為例，它是通信衛(wèi)星的關(guān)鍵元器件，我國曾長期依賴進口。而2014年我國正在進行北斗三號試驗衛(wèi)星研制時，供應(yīng)方突然通知由于政府原因停止供貨。不過，北斗團隊早已認識到國產(chǎn)化對于北斗系統(tǒng)建設(shè)和穩(wěn)定運行的重要性，在北斗三號系統(tǒng)建設(shè)啟動的同時，中國航天科技集團五院就聯(lián)合國內(nèi)多家單位，開展了行波管放大器等關(guān)鍵元器件國產(chǎn)化的技術(shù)攻關(guān)。而在供應(yīng)方得知我國行波管放大器技術(shù)攻關(guān)已經(jīng)取得了突破，北斗團隊決定用國貨替代進口產(chǎn)品后，急忙表示可以供貨，并把價格降低了一半。

　　在北斗產(chǎn)業(yè)鏈方面，2017年2月28日，我國首個自主研制的“米級快速定位北斗芯片”正式推出，實現(xiàn)了基礎(chǔ)產(chǎn)品的自主可控并達到國際先進水平;2018年12月27日，中國衛(wèi)星導航系統(tǒng)管理辦公室主任冉承其透露，全世界絕大部分的智能手機都已經(jīng)采用了支持北斗的芯片，北斗系統(tǒng)已進入3GPP國際移動通信組織。

　　十年來，我國自主研發(fā)的北斗芯片工藝從90nm到28nm，尺寸不斷縮小，性能不斷提升，并具備在全球范圍展開競爭的實力和底氣。

　　在今年5月舉辦的第十屆中國衛(wèi)星導航年會上，一組關(guān)于北斗產(chǎn)業(yè)鏈的數(shù)字發(fā)布。據(jù)悉，國產(chǎn)北斗芯片、模塊等關(guān)鍵技術(shù)全面突破，性能指標與國際同類產(chǎn)品相當。支持北斗三號新信號的，28nm工藝射頻基帶一體化SoC芯片，已在物聯(lián)網(wǎng)和消費電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。最新的22nm工藝雙頻定位芯片已具備市場化應(yīng)用條件，全頻一體化高精度芯片正在研發(fā)，北斗芯片性能將再上一個臺階。國產(chǎn)北斗導航型芯片模塊累計銷量已突破8000萬片，高精度板卡和天線銷量已占據(jù)國內(nèi)30%和90%的市場份額，并輸出到100余個國家和地區(qū)。

　　此外，2018年國內(nèi)衛(wèi)星導航產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值已超過3000億元;預(yù)計至2020年，我國衛(wèi)星導航產(chǎn)業(yè)的規(guī)模將超過4000億元，北斗將拉動超過3000億元規(guī)模的市場份額。

　　近年來，隨著互聯(lián)網(wǎng)+、5G、人工智能等新興技術(shù)和產(chǎn)業(yè)模式的興起，在與衛(wèi)星導航技術(shù)融合后，催生出了精細農(nóng)業(yè)、精準物流、自動駕駛、智能交通、智慧城市等經(jīng)濟發(fā)展新模式和產(chǎn)業(yè)發(fā)展新業(yè)態(tài)。

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