制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV

集電極—射極飽和電壓: 2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 580 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 2 kW

封裝 / 箱體: 62 mm

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝: Tray

高度: 30.9 mm

長度: 106.4 mm

技術(shù): Si

寬度: 61.4 mm

商標: Infineon Technologies

安裝風格: Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

產(chǎn)品類型: IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量: 10

子類別: IGBTs