IRLML6402TRPBF INFINEON MOSFET，P CH，-20V，-3.7A，SOT-23

IRLML6402TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格

安裝類型 表面貼裝

晶體管材料 Si

類別 功率 MOSFET

長度 3.04mm

典型輸入電容值@Vds 633 pF@ 10 V

系列 HEXFET

通道模式 增強

高度 1.02mm

每片芯片元件數(shù)目 1

最大漏源電阻值 65 mΩ

最大柵閾值電壓 1.2V

Board Level Components Y

最高工作溫度 +150 °C

通道類型 P

最低工作溫度 -55 °C

最大功率耗散 1.3 W

最大柵源電壓 ±12 V

寬度 1.4mm

尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

最小柵閾值電壓 0.4V

最大漏源電壓 20 V

典型接通延遲時間 350 ns

典型關(guān)斷延遲時間 588 ns

封裝類型 SOT-23

最大連續(xù)漏極電流 3.7 A

引腳數(shù)目 3

晶體管配置 單

典型柵極電荷@Vgs 8 nC @ 5 V

安裝風(fēng)格 SMD/SMT

Vgs - Gate-Source Voltage 12 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V

晶體管極性 P-Channel

Qg - Gate Charge 8 nC

工廠包裝數(shù)量 3000

品牌 Infineon Technologies

Id - Continuous Drain Current - 3.7 A

Pd - Power Dissipation 1.3 W

封裝 Reel

長度 2.9 mm

通道數(shù) 1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms

封裝/外殼 SOT-23-3

晶體管類型 1 P-Channel