MDmesh M6技術(shù)融合了眾所周知的MDmesh系列SJ MOSFET的最新進(jìn)展。
意法半導(dǎo)體通過其M6技術(shù)構(gòu)建上一代MDmesh器件,該技術(shù)將每個區(qū)域的出色R DS(ON)改進(jìn)與最有效的開關(guān)行為之一,以及用戶友好的產(chǎn)品狀態(tài)鏈接體驗,最大限度地終結(jié) -應(yīng)用效率。
特征
減少開關(guān)損耗
與上一代相比,R DS(ON) x面積更低
低柵極輸入電阻
100%雪崩測試
齊納保護(hù)
STF24N60M6,STI24N60M6,STB24N60M6,STW24N60M6