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IPB072N15N3G

發(fā)布企業(yè):深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司時(shí)間:2024-11-26 9:13:00

企業(yè)深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

聯(lián)系人:劉春蘭

微信:19129491434

手機(jī):19129491434

電話:0755-83267817

傳真:0755-83267787

地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

原裝代理

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 70 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 14 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 35 ns

系列: OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別: Transistors

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns

寬度: 9.25 mm

單位重量: 4 g

型號(hào)查詢 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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英飛凌MOS管全系列在售,終端可供樣品
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