制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

REACH - SVHC:

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VSON-CLIP-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 10.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV

Qg-柵極電荷: 3.9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商標名: NexFET

系列: CSD17308Q3

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Texas Instruments

配置: Single

開發(fā)套件: BQ500211AEVM-210

下降時間: 2.3 ns

高度: 1 mm

長度: 3.3 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5.7 ns

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET

典型關閉延遲時間: 9.9 ns

典型接通延遲時間: 4.5 ns

寬度: 3.3 mm

單位重量: 41 mg