IRLML0030TRPBF產(chǎn)品是一種高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有多種功能和特性。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的技術(shù)和材料，可以在各種應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。IRLML0030TRPBF產(chǎn)品具有以下功能：
1. 高性能：IRLML0030TRPBF產(chǎn)品具有優(yōu)異的性能指標(biāo)，包括低導(dǎo)通電阻、高頻特性和低開(kāi)關(guān)損耗。這使得它在功率放大、開(kāi)關(guān)和線性應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
2. 低電壓驅(qū)動(dòng)：IRLML0030TRPBF產(chǎn)品可以在低電壓下實(shí)現(xiàn)高效的工作，這使得它適用于需要節(jié)能和低功耗的電子設(shè)備。
3. 高可靠性：IRLML0030TRPBF產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試，具有高可靠性和穩(wěn)定性，可以在各種惡劣環(huán)境下工作。
4. 小尺寸：IRLML0030TRPBF產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有小尺寸和輕量化的特點(diǎn)，適合于緊湊空間和輕量化設(shè)計(jì)的應(yīng)用。
總的來(lái)說(shuō)，IRLML0030TRPBF產(chǎn)品具有高性能、低電壓驅(qū)動(dòng)、高可靠性和小尺寸的特點(diǎn)，適用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。它的出現(xiàn)為電子行業(yè)帶來(lái)了新的解決方案和可能性，可以滿足不同領(lǐng)域的需求，并推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Qg-柵極電荷: 2.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HEXFET
系列: N-Channel
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 4.4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9.5 s
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.4 ns
3000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 7.4 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5.2 ns
寬度: 1.3 mm
單位重量: 8 mg
