存儲器AT27C020-70PC 是一個低功耗，高性能，2，097，152位，一次性可編程只讀存儲器(OTP EPROM)組織為256K×8位。在正常讀取模式下，只需要一個5V電源即可。任何字節(jié)都可以在不到55ns的時間內(nèi)訪問，從而消除了在高性能微處理器系統(tǒng)上降低等待速度的需要。在讀取模式下，存儲器AT27C020-70PC 通常消耗8mA。待機模式電源電流通常是不到10μa。AT27C020可選擇工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，JEDEC批準(zhǔn)，一次性可編程(OTP) PDIP和PLCC軟件包。所有的設(shè)備都具有雙線控制(CE， OE)的功能，以給設(shè)計者提供防止總線爭用的靈活性。存儲器AT27C020-70PC 具有256K字節(jié)的存儲能力，允許固件被可靠地存儲，并且系統(tǒng)可以訪問固件，而不會受到大規(guī)模存儲介質(zhì)的延遲存儲器AT27C020-70PC 具有額外的功能，以確保高質(zhì)量和高效率的生產(chǎn)使用?？焖倬幊趟惴p少了零件編程所需的時間，保證了編程的可靠性。編程時間通常只有100μs /字節(jié)。集成的產(chǎn)品標(biāo)識代碼以電子方式標(biāo)識設(shè)備和制造商。該特性被工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)編程設(shè)備用來選擇合適的編程算法和電壓。通過芯片使能引腳在有源和備用狀態(tài)之間切換可能會產(chǎn)生瞬態(tài)電壓偏移。除非系統(tǒng)設(shè)計允許，否則這些瞬態(tài)可能超過數(shù)據(jù)表的限制，導(dǎo)致設(shè)備不合格。至少0.1μf、高頻、低固有電感、陶瓷電容器應(yīng)該用于每個設(shè)備。該電容器應(yīng)連接在設(shè)備的VCC和接地端子之間，盡可能靠近設(shè)備。此外，穩(wěn)定電源電壓水平在印刷電路板上大EPROM數(shù)組，4.7μf大部分應(yīng)該利用電解電容器，再次VCC和地面終端之間的連接。電容器的位置應(yīng)盡可能靠近電源與陣列相連接的位置100年μs PGM脈沖寬度是用來計劃。地址被設(shè)置為第一個位置。VCC升至6.5V， VPP升至13.0V。每個地址是第一個程序與一個100μs的PGM脈沖沒有驗證。然后對每個地址執(zhí)行驗證/重編程循環(huán)。如果一個字節(jié)未能通過驗證，連續(xù)10 100μs脈沖應(yīng)用驗證后每個脈沖。如果在應(yīng)用了10個脈沖后字節(jié)未能驗證，則認(rèn)為該部分已失敗。在字節(jié)正確驗證之后，下一個地址將被選中，直到所有的地址都被選中為止。然后將VPP降至5.0V， VCC降至5.0V。再次讀取所有字節(jié)并與原始數(shù)據(jù)進行比較，以確定設(shè)備是否通過或失敗。