制造商: NXP

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo): NXP Semiconductors

配置: Single

下降時間: 45 ns

高度: 1.45 mm

長度: 5 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 16 ns

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 65 ns

典型接通延遲時間: 18 ns

寬度: 4 mm

單位重量: 506.600 mg