制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.1 A

Rds On-漏源導通電阻: 25 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 50 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

商標名: TrenchFET

系列: SI4

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Vishay Semiconductors

配置: Dual

下降時間: 34 ns

正向跨導 - 最小值: 20 S

高度: 1.75 mm

長度: 4.9 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 12 ns

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 P-Channel

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

寬度: 3.9 mm

零件號別名: SI4925BDY-T1

單位重量: 187 mg